光罩

業內又稱光掩模版、掩膜版，英文名稱 MASK 或 PHOTOMASK），材質：石英玻璃、金屬鉻和感光膠，該產品是由石英玻璃作為襯底，在其上面鍍上一層金屬鉻和感光膠，成為一種感光材料，把已設計好的電路圖形通過電子激光設備曝光在感光膠上，被曝光的區域會被顯影出來，在金屬鉻上形成電路圖形，成為類似曝光后的底片的光掩模版，然後應用於對集成電路進行投影定位，通過集成電路光刻機對所投影的電路進行光蝕刻，其生產加工工序為：曝光，顯影，去感光膠，最後應用於光蝕刻。

• 實體結構：布滿集成電路圖像的鉻金屬薄膜的石英玻璃片上的圖像。

• 倍縮光掩模（Reticle）：當鉻膜玻璃僅能局部覆蓋晶圓稱為倍縮光掩模，通常圖型要放大4倍、5倍或10倍。

• 光掩模（Mask）：當鉻膜玻璃上的圖像能覆蓋整個晶圓時稱之為光罩。

光刻（英語：photolithography）是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這裡所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層僅數納米厚的金屬層。然後在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然後使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區域，這樣，光掩模上的圖形就呈現在光刻膠上。通常還將通過烘乾措施，改善剩餘部分光刻膠的一些性質。

上述步驟完成後，就可以對襯底進行選擇性的刻蝕或離子注入過程，未被溶解的光刻膠將保護襯底在這些過程中不被改變。

刻蝕或離子注入完成後，將進行光刻的最後一步，即將光刻膠去除，以方便進行半導體器件製造的其他步驟。通常，半導體器件製造整個過程中，會進行很多次光刻流程。生產複雜集成電路的工藝過程中可能需要進行多達50步光刻，而生產薄膜所需的光刻次數會少一些。

集成電路（英語：integrated circuit，縮寫：IC；德語：integrierter Schaltkreis）、或稱微電路（microcircuit）、微晶元（microchip）、晶片/晶元（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。

前述將電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。

本文是關於單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。

從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、傑弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代集成電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早於1990年就過世。