舒永春

1986年畢業於中南大學、粉末冶金專業，獲工學學士學位； 1999年獲中南大學材料學工學碩士學位； 2005年7月獲南開大學凝聚態物理專業理學博士學位；1992,2～1994,8：英國Strathclyde大學、材料系，訪問學者，從事結構陶瓷研究；1994～1998年任寧夏有色金屬冶鍊廠科技質量處副處長；1998年任寧夏有色金屬冶鍊廠科技質量處處長；1999年任寧夏東方鉭業股份有限公司科技部主任；2000年任晶體分廠廠長（兼書記）；2001年任寧夏東方特種材料科技開發股份公司副總經理；1999在英國Warwick大學經濟管理學院學習製造工程戰略管理；1999年被破格評聘為教授級高級工程師；2002年8月至今，在南開大學泰達應用物理學院工作； 2003年5月起負責量子材料與器件研究室的具體籌建工作，從事MBE材料生長與控制技術研究以及III－V族半導體材料與器件的研發。目前負責一項國家“863”項目（項目編號：2006AA03Z413）和一項天津市重點基金（項目編號：06YFJZJC01100）

無鋁半導體激器的研發；

光泵浦半導體垂直外腔表面發射激光器的研發；

量子點半導體飽和吸收鏡的研發；

半導體材料物理，圍繞開發項目展開的材料與器件的物理與光學性質研究。

SourceGrant No.Subject國家“863”項目（2006～2008）2006AA03Z413光泵浦1064nm半導體垂直外腔表面發射激光器晶元材料的製備天津市重點基金（2006～2008）06YFJZJC01100光泵浦980nm半導體垂直外腔表面發射激光器晶元的製備國家自然科學基金項目60476042半導體量子點激光材料瞬態光譜特性及超快現象研究

1. “High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy”， Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)

2. “MBE growth of high electron mobility InP epilayers”， Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 36(8), (2005)

3. “Compatibility study on growing high quality modulation doped GaAs and InP/InP epi-layers by solid source molecular beam Epitaxy”， Journal of Synthetic Crystals, Vol.34 (3), 395-398(2005)

4. “alas/GaAs分佈布拉格反射鏡（DBR）的反射譜擬合與優化生長”，人工晶體學報，Vol.34(6), (2005)

5. “量子點紅外探測器的特性與研究進展”，物理, 9, 510 (2005)

6. “調製摻雜GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光電導及子帶電子特性研究”，物理學報，55 1379-1383 (2006)

7. “Effect of Small-angle scattering on the integer quantum Hall plateau”， Chin. Phys. Lett, 23(2) 436-439 (2006)

8. “不同澱積厚度INAS量子點的喇曼散射”，半導體學報，27(6),1012-1015,2006

9. “產生超短脈衝的光泵浦垂直外腔面發射激光器的研究進展”，激光雜誌，27(2),9-10,2006

10. “Morphological and electrocal properties of InP grown by SSMBE”，Journal of Crystal Growth，299（2007） 243－247

1. “彩電配套用鉭粉”火炬計劃優秀項目，一等獎，國家科委，國科火字[1998] 51號

2. “40000uFV/g、50000uFV/g超高比容鉭粉”，寧夏科技進步獎，一等獎，寧夏科委，1999，10，27

3. “超高比容鉭粉和細直徑鉭絲的開發”，杜邦科技創新獎，國家科技部，2000－C－02

4.“平板顯示用高性能ITO靶材關鍵技術及工程化”項目，2020年度國家技術發明獎二等獎