俄歇電子能譜儀

當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多餘的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等於EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1、LM1M2、MN1N1等等。從上述過程可以看出，至少有兩個能級和三個電子參與俄歇過程，所以氫原子和氦原子不能產生俄歇電子。同樣孤立的鋰原子因為最外層只有一個電子，也不能產生俄歇電子。但是在固體中價電子是共用的，所以在各種含鋰化合物中也可以看到從鋰發生的俄歇電子。

①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對於Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。

②俄歇電子只能從20埃以內的表層深度中逃逸出來，因而帶有表層物質的信息，即對錶面成份非常敏感。正因如此，俄歇電子特別適用於作表面化學成份分析。

俄歇能譜儀包括電子光學系統、電子能量分析器、樣品安放系統、離子槍、超高真空系統。以下分別進行介紹。

電子光學系統主要由電子激發源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉系統（偏轉線圈）組成。電子光學系統的主要指標是入射電子束能量，束流強度和束直徑三個指標。其中AES分析的最小區域基本上取決於入射電子束的最小束斑直徑；探測靈敏度取決於束流強度。這兩個指標通常有些矛盾，因為束徑 變小將使束流顯著下降，因此一般需要折中。

這是AES的心臟，其作用是收集並分開不同的動能的電子。由於俄歇電子能量極低，必須採用特殊的裝置才能達到儀器所需的靈敏度。目前幾乎所有的俄歇譜儀都使用一種叫作筒鏡分析器的裝置。

分析器的主體是兩個同心的圓筒。樣品和內筒同時接地，在外筒上施加一個負的偏轉電壓，內筒上開有圓環狀的電子入口和出口，激發電子槍放在鏡筒分析器的內腔中（也可以放在鏡筒分析器外）。由樣品上發射的具有一定能量的電子從入口位置進入兩圓筒夾層，因外筒加有偏轉電壓，最後使電子從出口進入檢測器。若連續地改變外筒上的偏轉電壓，就可在檢測器上依次接收到具有不同能量的俄歇電子，從能量分析器輸出的電子經電子倍增器、前置放大器後進入脈衝計數器，最後由X-Y記錄儀或熒光屏顯示俄歇譜 俄歇電子數目N隨電子能量E的分佈曲線。

若將筒鏡分析器與電子束掃描電路結合起來可以形成掃描俄歇顯微鏡（右圖）。電子槍的工作方式與掃描電鏡類似，兩級透鏡把電子束斑縮小到3微米，掃描系統控制使電子束在樣品上和顯像管熒光屏上產生同步掃描，筒鏡分析器探測到的俄歇電子信號經電子倍增器放大後用來對熒光屏光刪進行調製，如此便可得到俄歇電子像。

一般包括樣品導入系統，樣品台，加熱或冷卻附屬裝置等。為了減少更換樣品所需的時間及保持樣品室內高真空，俄歇譜儀採用旋轉式樣品台，能同時裝6-12個樣品，根據需要將待分析樣品送至檢測位置。

俄歇能譜儀的樣品要求能經得住真空環境，在電子束照射下不產生嚴重分解。有機物質和易揮發物質不能進行俄歇分析，粉末樣品可壓塊成型後放入樣品室。

它由離子源和束聚焦透鏡等部分組成，有如下功能：①清潔試樣表面 用於分析的樣品要求十分清潔，在分析前常用 濺射離子槍對樣品進行表面清洗，以除去附著在樣品表面的污物；②逐層刻蝕試樣表面，進行試樣組成的深度剖面分析。一般採用差分式氬離子槍，即利用差壓抽氣使離子槍中氣體壓強比分析室高103倍左右。這樣當離子槍工作時，分析室仍可處於高真空度。離子束能量可在0.5至5keV範圍內調節，束斑直徑由0.1至5mm可調。為排除濺射陷口邊遠的影響，濺射刻蝕區域應比入射電子束斑的直徑大很多。離子束也可在大範圍內掃描。

這是AES的一個重要組成部分。因為高的真空度能使試樣表面在測量過程中的沾污減少到最低程度，從而得到正確的表面分析結果。目前商品AES的高真空度可達10-10托左右。如果沒有足夠的真空度，氣體粒子將粘附到表面上，在10-6托下大約1秒鐘就可以吸附一個單層。即使在10-10托的真空中，在30分鐘內也會在活性表面上吸附相當數量的碳和氧，幾乎接近一個單層。所以真空系統的環境污染是很重要的。

俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分佈曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常採用電子能量分佈的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇電子峰形成正負兩個峰，一般負值大於正峰。微分譜的特點是靈敏，背底扣除問題自動得到解決，峰明銳且易辨識，特別是如圖中的碳和鈣峰。習慣上將原先的N(E)譜稱為積分譜。

若調整電子能量分析器，使其僅檢測制定元素的俄歇能量範圍，讓細聚焦的入射電子束在試樣表面沿指定直線或區域掃描，同步探測俄歇電子信號，就能獲得俄歇線掃描圖或俄歇電子圖像。利用俄歇圖像和電子顯微圖像相比較，亦可得到元素分佈與表面形貌的相關性。下圖分別是某半導體元件的吸收電流顯微圖，俄歇能譜面分佈（依次為氧、金元素）圖以及俄歇能譜線掃描（依次為氧、金元素）圖。顯然各圖的結果是很對應的。

通過正確測定和解釋AES的特徵能量、強度、峰位移、譜線形狀和寬度等信息，能直接或間接地獲得固體表面的組成、濃度、化學狀態等多種情報。

定性分析主要是利用俄歇電子的特徵能量值來確定固體表面的元素組成。能量的確定在積分譜中是指扣除背底后譜峰的最大值，在微分譜中通常規定負峰對應的能量值。習慣上用微分譜進行定性分析。元素周期表中由Li到U的絕大多數元素和一些典型化合物的俄歇積分譜和微分譜已彙編成標準AES手冊。因此由測得的俄歇譜來鑒定探測體積內的元素組成是比較方便的。下圖為典型的輕元素俄歇微分譜線的能量標度和線形。上排是輕元素的KLL譜，譜線較簡單。下排是較重元素的LMM譜。可見，隨著Z的增加，俄歇譜線變得複雜並出現重疊。當表面有較多元素同時存在時，這種重疊現象會增多。如Cr與O, F、Fe和Mn，Cu和Ni等。可以採用譜扣除技術進行解決（扣除相同測試條件下純元素的譜線）。

在與標準譜進行對照時，除重疊現象外還需注意如下情況：

①由於化學效應或物理因素引起峰位移或譜線形狀變化引起的差異；

②由於與大氣接觸或在測量過程中試樣表面被沾污而引起的沾污元素的峰。

上面利用俄歇能譜面分佈或線分佈進行的分析就是微區分析（略）。

對元素的結合狀態的分析稱為狀態分析。AES的狀態分析是利用俄歇峰的化學位移，譜線變化（包括峰的出現或消失），譜線寬度和特徵強度變化等信息。根據這些變化可以推知被測原子的化學結合狀態。一般而言，由AES解釋元素的化學狀態比XPS更困難。實踐中往往需要對多種測試方法的結果進行綜合分析后才能作出正確的判斷。

利用AES可以得到元素在原子尺度上的深度方向的分佈。為此通常採用惰性氣體離子濺射的深度剖面法。由於濺射速率取決於被分析的元素，離子束的種類、入射角、能量和束流密度等多種因素，濺射速率數值很難確定，一般經常用濺射時間表示深度變化。

用AES研究元素的界面偏聚時，首先必須暴露界面（如晶界面，相界面，顆粒和基體界面等等。一般是利用樣品沖斷裝置，在超高真空中使試樣沿界面斷裂，得到新鮮的清潔斷口，然後以盡量短的時間間隔，對該斷口進行俄歇分析。對於在室溫不易沿界面斷裂的試樣，可以採用充氫、或液氮冷卻等措施。如果還不行，則只能採取金相法切取橫截面，磨平，拋光或適當腐蝕顯示組織特徵，然後再進行俄歇圖像分析。

AES定量分析的依據是俄歇譜線強度。表示強度的方法有：在微分譜中一般指正、負兩峰間距離，稱峰到峰高度，也有人主張用負峰尖和背底間距離表示強度。

測試由阿波羅宇宙飛船帶回地球的月球塵埃顆粒的俄歇譜。測出一個顆粒有硅、碳、氧和鐵，另一個顆粒組成元素為鈣、鈦、氧、鋁和硅，只得注意的是後者沒有探測到碳。

測試一純鎳金屬被含硫有機溶劑污染后，在600-900℃之間真空加熱前後的俄歇能譜曲線。從中可以看出，硫峰在加熱前並不明顯，而加熱后顯著升高。顯然硫的出現不會是來自試樣周圍的真空，必然是由於試樣本身所污染的硫，它在加熱時向表面發生遷移的偏析，從而超出了加熱前表面所含有的平均濃度。

即使在10-9托的超高真空中，電子束長時間作用也會使試樣表面有碳和氧的污染。上右圖是在液氮溫度下真空中剛沖斷的Ti-6Al-4V合金的AES。表明在新鮮斷面上有大量碳，並具有碳化物的線形特徵。下右圖是該斷面在真空系統中經電子束長時間照射后的AES。這時碳峰顯示石墨特徵的線形。由此可以認為上右圖中碳峰起因於碳化物夾雜或晶界析出相，而下右圖的碳峰是電子束與殘餘氣體相互作用而形成的表面污染。

由高鉻鋼製成的葉片泵的定子，在水 乙氨酸系潤滑油中長時間工作后，在摩擦面上會產生局部變色區。先用大直徑的電子束斑進行俄歇分析，發現摩擦面上存在氧、鐵、錫、鈣、碳、鉀、氯和硫等元素。然後用細聚焦電子束作微區分析。結果表明，定子摩擦面的局部變色區是由於錫的偏聚所造成的。

在潤滑油脂內添加MoS2粉能使齒面不易擦傷，延長齒輪壽命。用AES和SEM觀察兩種不同的MoS2成膜膏潤滑表面的形貌和表面元素濃度的變化。結果表明耐磨壽命長的成膜膏潤滑表面上覆蓋一層較均勻而光滑的潤滑膜，該膜是由MoS2、C、S和Pb組成的。

利用AES研究添加3%、9%、12%和18%Cr的Fe-Cr合金在400℃溫度下形成氧化物的組成和性能。氧化物組分的深度剖面表明添加3%Cr合金的氧化層主要由鐵組成。而≥9%Cr的合金形成層狀氧化物，即外層的氣相與氧化物界面存在Fe2O3，內層是Fe3-xCrxO4,以及靠近基體合金的鉻氧化物和金屬鐵。這說明添加Cr≥9%的合金大大推遲了氧化物的生長。

研究晶界擴散的方法有三種：濺射剖面法、沿晶斷裂法和表面累積法。

濺射剖面法是讓溶質擴散到多晶試樣中，然後用離子濺射剖蝕表面層，同時用AES測量，獲得濃度 深度剖面圖；沿晶斷裂法是把溶質蒸發到多晶試樣的清潔表面，並進行熱處理使其晶界擴散。然後在AES儀的超高真空中使試樣沿晶斷裂，利用細電子束斑獲得溶質在晶界上的的濃度剖面；表面累積法是根據監測積累在試樣外表面上擴散物質的數量，測定擴散係數D=D0EXP(-ΔE/KT)。為確定係數D0和-ΔE（激活能），只要測定在一定溫度範圍內通過薄膜的擴散流，並將結果繪在LnD-1/T坐標上，測算出該直線的斜率和截距即可。以下是利用AES研究Cr通過Pt薄膜擴散的例子。

擴散對製備過程是，在Si (111)基質上蒸發140nm厚的Cr，隨後沉積200nmPt膜。測量過程是，將該擴散對在超高真空中進行700-850K溫度範圍的擴散退火，當試樣保持恆溫時，周期性地測量Pt膜的俄歇譜，並記錄Cr信號達到529eV時的時間，測試結果繪於上左圖。由此可以算出D0=1.02×10-2，-ΔE=1.69eV，從而完成了測試任務。

將成份為0.32C-0.02P-3.87Ni-2.3Cr的合金鋼奧氏體化后，在396-594℃溫度範圍內緩冷，產生明顯的回火脆性，對斷口進行AES測定。下左圖顯示錶面AES能譜曲線。除了Fe、Ni、Cr、C的特徵俄歇譜線外，還有較強的P的特徵譜線，P含量相當於4.72%。進行離子刻蝕后再進行AES測試發現，在晶界處磷的富集量非常顯著，其含量比晶內高235倍，而在晶界兩側含量迅速下降，在距離表面45埃處已下降到基體的水平，不再有磷的富集。這說明磷在晶界處的富集的確是產生回火脆性的重要原因。

除了上述應用之外，AES還被廣泛地用於半導體失效分析、表面催化活性、吸附解吸等研究領域。