郭旗

郭旗，長期從事電子元器件輻射效應、輻射損傷機理、模擬試驗技術和空間輻射環境在軌測量技術研究；先後主持863等國家級科研項目十餘項；獲新疆維吾爾自治區科技進步二等獎2項，中國科學院和新疆維吾爾自治區科技進步三等獎各1 項；獲國家發明專利授權一項；在國內外期刊發表論文數十篇。

半導體器件和集成電路總劑量輻射效應機理、模擬試驗方法、空間輻射環境在軌測量技術等研究。

1. 新型半導體器件和集成電路總劑量輻射效應機理研究

研究光電器件、大規模集成電路等的總劑量輻射效應規律和輻射損傷物理機制，為新型器件和集成電路的空間輻射效應模擬試驗和抗輻射加固技術提供理論依據和支撐。

2. 新型電子元器件總劑量輻射效應模擬試驗方法

光電成像器件、大規模集成電路輻射效應測試技術研究、損傷失效模式、輻射損傷表徵方法、模擬試驗技術和評估方法研究。

3. 空間輻射環境在軌測量技術研究

利用半導體器件、材料和電離輻射效應研製開發適用於空間環境在軌測量的輻射劑量監測技術和設備。

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS

1. SiGe HBT與Si BJT的60Coγ射線總劑量輻照效應比較，牛振紅，郭旗，任迪遠，劉剛，高嵩, 固體電子學研究與進展， 2007（27）3。

2. 多結太陽電池輻射損傷的電致發光研究，牛振紅，郭旗，任迪遠，高嵩，劉剛，戴康，固體電子學研究與進展，2008（28）1。

3. 一種國產GaInP/GaAs/Ge三結太陽電池的電子輻照特性，牛振紅，郭旗，任迪遠，劉剛，高嵩，徐壽岩，孫彥錚，肖志斌，核技術，2007（30）1。

4. SiGe HBT 60Coγ射線輻照效應及退火特性，牛振紅，郭旗，任迪遠，劉剛，高嵩, 半導體學報，2006（27）9。

5. 大規模存貯器電離輻射試驗方法，匡治兵，郭旗，吾勤之，任迪遠，陸嫵, 微電子學，2005（35）5。

6. 80C31單片機電路總劑量效應研究，匡治兵，郭旗，任迪遠，李愛武，汪東，微電子學， 2005（35）6。

7. 劑量率對PMOS劑量計輻射響應的影響，孫靜，郭旗，張軍，任迪遠，陸嫵，余學鋒，文林，王改麗，鄭玉展，微電子學，2009（39）1。

物理學