微電子學與固體電子學專業

微電子學與固體電子學是一門新興的高科技學科，微電子產業是與國民經濟發展、人民生活水平提高、鞏固國防密切相關的重要產業，是衡量一個國家綜合國力的重要標誌。近幾年來，中國正在大力發展微電子技術，正在上海浦東建設微電子產業基地，大量需要包括集成電路設計、工藝技術、產品開發、應用、測試、封裝等各個層次的微電子專業人才。可以預計，幾年內微電子畢業生將遠遠滿足不了需要。

微電子學與固態電子學是現代信息技術的內核與支柱。本學科主要研究內容：

1、信息光電子學和光通訊。

2、超高速微電子學和高速通訊技術。

3、功率半導體器件和功率集成電路。

4、半導體器件可靠性物理。

5、現代集成模塊與系統集成技術。

信息光電子學和光通訊

研究內容：具有全新物理思想和創新性器件結構的高效半導體激光器、高效高亮度發光管和新型中遠紅外探測器，研究光通訊、光電信號、圖象處理，研究光電探測、控制等激光、發光、紅外光電子信息技術和應用系統。本方向有項目博士后流動站。

超高速微電子學和高速通信技術

本方向主要研究具有全新物理思想和結構的異質結超高頻（高速）器件及超高頻（高速）電路，特別是超高頻低雜訊SiGe/SiHBT、IC和光通訊、移動通訊、高速計算相關的電路和通訊應用系統，具有極重要科學價值和極廣闊的應用前景。

功率半導體器件與功率集成電路

本方向包括兩方面研究內容：電力電子器件與靈巧功率集成電路研究以及微波功率半導體器件與微波集成電路研究。分別簡介如下：電力電子器件與靈巧功率集成電路研究的根本用途是進行電能的變換與控制，它的應用已滲透到通訊、機電一體化等各個領域。本室在從事處於國際前沿地位的研究工作，提出了不少具有國際創新思想的新的器件結構和工作原理，如：新結構的超高速雙極功率開關管、新結構超低損耗IGBT、新結構高速集成電路等。微波功率半導體器件與微波集成電路研究是微波通訊、雷達、各種軍事電子對抗等微波設備與系統的心臟。本研究室正在從事著具有國際創新結構的新器件及集成電路的研究。

半導體器件可靠性

本方向從事微電子器件可靠性物理的研究（各種類型的分立半導體器件、集成電路和模塊）。可靠性被列為四大共性技術之一，是目前國際上最為活躍的研究和發展的一個領域。目前的研究方向主要包括四個方向：VLSI/ULSI互連技術及可靠性的研究：隨著電路的高密度化、高速化，互連技術已成為VLSI/ULSI繼續向前發展的一個瓶頸。本研究室在此領域處於國際前沿的研究工作。高速微電子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGeHBT高速器件、MMIC的可靠性及評價技術。GaN寬頻隙半導體器件的可靠性及評價技術：重點研究寬頻隙半導體材料、器件及相關的可靠性問題。半導體熱測量，熱失效分析和熱設計：主要研究各種功率半導體器件、集成電路和光電子器件，各種熱測量技術（nm級區域），熱失效分析及熱設計，本研究室在這一領域處於國際前沿地位的研究工作。

現代集成模塊與系統集成技術

本方向包含兩方面研究內容。其一是研究以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MCM（多晶元組件）為代表的現代集成模塊及組件：模塊和組件工作原理、設計及製作方法，封裝熱應力設計，應用與可靠性，系統測試方法和模擬設計；其二是研究半定製ASIC設計和現代系統集成技術。

男，北京大學物理系畢業，中科院半導體所碩士，瑞典博士。我國著名的半導體和光電子學專家，北京市有突出貢獻科技專家。現任我校固態電子學研究所所長，電子信息與控制工程學院學術委員會主任，北京光電子技術實驗室主任，兼任中國物理學會理事，中國電子學會光電子專業委員，國家信息產業部科技經濟專家委員會專家，信息產業部專家委員會委員，多所大學、研究所和學術刊物的兼職教授和編委，多年來在國內外主持過多項重要科學研究課題。

主要研究方向為新型高效半導體激光器、發光和紅外光電子學，異質結構器件、電路與超高速微電子學，光通信、移動通信和高速信息處理、電路和系統工程技術，並在上述前沿領域均提出了獨創的物理思想和結構設計，在理論和實踐上取得了多項國際先進水平成果。

本人在國內外從事科研教學三十多年，成果豐碩，論文（著作）120多篇，發明專利五

項，培養博士生、博士后20多名。目前主持近二十項國家級重要科研課題，經費和科研設備條件良好，與國內外有廣泛的學術和人員的交流與合作。

教授，博士生導師，北京市具有突出貢獻的科學技術專家，享受國務院頒發的特殊津貼，為美國科學促進會特約國際會員，是國內該研究領域知名學者。獲得過國家發明獎、省部級科技進步獎等共四項，專著和譯著三部，擔任過在尼什召開的20thIntern.Conf.OnMicroelectronics的Steering Committee委員。略轉已收入美國出版的“Who’swhointhe world”，英國劍橋傳記中心將略傳收入其出版的名人傳記並授予二十世紀成就獎。

教授，為我校半導體器件可靠性物理研究室主任，博士生導師，享受國務院頒發的特殊津貼，中國電子學會高級會員，可靠性分會委員，長期從事半導體器件（含IC）的研製及可靠性研究工作，在該領域有較深造詣，取得了一批具有國際水平的理論和成果，完成了多項國家、電子部和北京市重點攻關課題，曾獲省、部級科技成果獎四項，發表論文數十篇。

男，教授。1979年畢業於中國科技大學物理系半導體專業，並留校工作。1980年修完本專業研究生課程。1989年調到北京工業大學電子工程系電子技術專業，1994年任電子工程系系主任。現任電子信息與控制工程學院院長。主要從事微電子技術的教學與科研工作，先後兩次到西德馬普學會固態所和瑞典林雪平大學從事科研工作。多年來負責和承接過包括“863”計劃，國家自然科學基金等多項科研課題，獲第一屆全國科技大會重大科技成果獎一項，安徽省科技進步三等獎和北京市科技二等獎各一項，在國內外學術刊物上發表論文60餘篇。

教授，電子科學與技術（微電子工程）系主任，中國電子學會高級會員，北京電力電子學會理事。81年研究生畢業於北京工業大學電子工程系，獲工學碩士學位。后留校從事教學科研工作，作為課題負責人或主要成員曾承擔國防科工委、電子部項目10多項並獲電子部科技進步一等獎一項及其它獎數項。88年至89年在瑞士蘇黎世工業大學作訪問學者從事砷化鎵微波器件研究工作。1992年至1995年作為客座教授在蘇黎世工業大學從事現代功率集成模塊研究工作，所得研究成果部分屬當時國際先進水平並多次應邀在瑞士、德國、法國和義大利等國作研究結果報告。近年來從事集成模塊和系統集成技術方面的研究工作並承擔國家自然科學基金、北京市自然科學基金以及北京市教委科研項目多項。發表研究論文數十篇及專著一部。

男，工學博士，教授。97年入選北京市科技新星計劃，98年成為中國電子學會高級會員、美國AAAS（美國科學發展促進會）會員，99年入選北京市優秀跨世紀人才工程。先後承擔、參加完成了國家“七五”、“八五”攻關項目，國家自然科學基金，北京市自然科學基金，國防科工委等課題十幾項，西安交通大學科技成果二等獎。目前主要研究方向為高速微電子器件及其微波集成電路（MMIC）的設計、模擬、研製和可靠性。再上述領域，已在國內外學術刊物和國內外學術會議發表論文56篇，其中第一作者29篇，目前已被國際四大檢索系統的SCI收錄3篇，EI收錄13篇，ISTP收錄6篇。被英國《科學文摘》INSPEC收錄13篇，美國CA收錄12篇。

畢業生主要去向為：集成電路製造企業、集成電路設計公司、應用集成電路的整機單位、科研院所、高等院校等。

微電子學與固體電子學學科是天津市“十一五”重點建設學科專業，得到財政部與地方共建項目的支持。經過多年學科建設，形成了上述3個相對穩定的研究方向。以本學科為依託建有天津市“薄膜電子與通信器件”重點實驗室。本學科還擁有從事IC設計、器件集成工藝和器件測試研究的專業實驗室。

半導體材料與器件研究方向主要研究聲表面波材料及器件和新型阻變存儲器。聲表面波器件相關方向包括器件用壓電薄膜、寬禁帶半導體～金剛石、ZnO、AlN、c–BN等薄膜材料製備、測試，薄膜聲表面波器件和薄膜感測器件（應用於微流體探測和微生化分析），以及新型半導體薄膜電極的研製、體聲波器件等研究。新型阻變存儲器主要研究器件結構的設計及工藝實現。

器件互連集成技術研究方向主要研究集成電路器件互連集成技術，包括高性能互連材料的研究、器件互連電特性分析、超大規模集成電路互連製造平坦化技術等。

集成電路設計研究方向在研究、掌握國際先進EDA技術的基礎上，結合電子系統高性能、低功耗、小型化、智能化的需要，開展專用集成電路設計、集成電路設計方法學研究，為通信系統晶元設計提供技術支持。側重於數模混合電路、高頻集成電路設計和通信領域IP核設計。

第一外國語、科學社會主義理論與實踐、自然辯證法、應用數學基礎、計算機應用基礎、數理方程、數值分析、半導體器件物理、超大規模集成電路工藝技術、薄膜電子學、微機械系統MEMS、微電子封裝技術、集成電路設計方法學、FPGA與DSP、集成電路原理與設計、集成電路EDA技術、CMOS集成電路分析與設計、數字電路設計、VLSI可測性設計等。

本專業學製為2.5年，授工學學位。

國家重點學科，博士和碩士學位授予點，建有全國唯一的有關IC設計的"專用集成電路和系統"國家重點實驗室。現有教授18人，國外顧問教授3人，副教授19人，客座教授14人。

研究方向

①系統集成晶元設計方法學研究和應用；

②集成電路計算機輔助設計；

③半導體工藝/微電子薄膜及其在固態器件中的應用；

④微電子機械和集成感測器研究。

自2000年以來承擔和完成了近百項國家科技重點攻關、"863"高科技、"973"重點基礎研究、國家自然科學基金、上海市科委、信息委和經委等有關超大規模集成電路設計、計算機輔助設計以及集成電路新型工藝與器件等方面的科研項目。取得了以"0.35~1微米CMOS基本單元庫"（國家科技進步二等獎）、"IC計算機輔助設計系統軟體發展技術"（上海市科技進步二等獎）為代表的一批科研成果。並將科研成果及時轉化，孵化出上海復旦微電子股份有限公司和上海華虹集成電路有限公司，產生明顯的經濟和社會效益。出版學術專著8部，其中"MicroMechanicalTransducers（ElsevierScience出版社）和"Nonequilibriumnondissipativethermodynamics"

（Springer出版社）具有較大國際影響。

本學科點與國外多所著名大學有緊密協作關係。與荷蘭德爾福特技術大學（TUDelft）建立了長期合作交流計劃，2003年起每年派遣多位碩士生赴荷進行聯合培養。與工業界合作，建立了包括英特爾、英飛凌、Xilinx等多個聯合實驗室，2003年10月成立的"復旦－Novellus互連研究中心"是國內微電子研發單位中唯一擁有8英寸銅互連工藝設備的實驗室。廣泛開展學術交流，近幾年已成功舉辦了八次有關集成電路設計與工藝方面的國際會議，學術氣氛濃厚。

VLSI集成技術原理，集成電路設計方法，半導體器件物理，模擬集成電路和系統設計，現代集成電路分析方法，半導體工藝技術，半導體工藝和器件的計算機模擬，微電子材料與工藝，工程數學等。

微電子學與固體電子學專業碩士研究生培養方案

MicroelectronicsandSolid-electronics

(專業代碼：080903授工學學位)

1.掌握微電子學與固態電子學方面堅實的理論基礎和系統的專業知識，熟練掌握一門外國語，能進行專業閱讀和科技寫作。

2.培養嚴謹求實的科學態度和作風，具有創新求實精神和良好的科研道德，具備獨立從事本學科的科學研究能力。

3.能熟練運用計算機和信息化技術，解決本學科領域的問題並有新的見解。

4.能勝任本專業或相鄰專業科研機構、生產單位和高等院校的研究開發、工程技術、教學或管理工作。

研究方向

1：半導體薄膜材料與器件在研究、掌握寬禁帶半導體～金剛石、ZnO、AlN、c–BN等薄膜材料製備、測試基礎上，開展薄膜半導體器件的研製，主要是薄膜聲表面波器件和薄膜感測器件（應用於微流體探測和微生化分析），以及新型半導體薄膜電極的研製。

2：集成電路設計在研究、掌握國際先進EDA技術的基礎上，結合電子系統高性能、低功耗、小型化、智能化的需要，開展專用集成電路設計，同時開展集成電路設計方法學研究，為通信系統晶元設計提供技術支持。側重於數模混合電路、高頻集成電路設計和通信領域IP核設計。

全日制攻讀碩士學位的學習年限為2.5年，鼓勵優秀學生提前答辯。總學分要求≥43學分，其中修課學分數要求≥28學分，研究環節要求≥15學分。

復旦大學研究生申請畢業論文答辯的標準：

1、碩士學位申請者應以第一作者（特殊情況除外）至少發表1篇限定B類（或以上）期刊論文。

2、博士學位申請者應以第一作者（特殊情況除外）至少發表1篇限定英文SCIE（或以上）或2篇限定A類（或以上）期刊論文。

3、限定B類期刊、限定A類期刊、限定英文SCI期刊的範圍界定說明：

i.限定B類期刊：要求此期刊必須同時列入《復旦大學學位與研究生教育國內期刊指導目錄》（復旦大學研究生院

二〇〇四年八月）中B類目錄和《國家重點實驗室論文期刊目錄》

ii.限定A類期刊：要求此期刊必須同時列入《復旦大學學位與研究生教育國內期刊指導目錄》（復旦大學研究生院

二〇〇四年八月）中A類目錄和《國家重點實驗室論文期刊目錄》

iii.限定英文SCIE期刊：要求此期刊必須列入《復旦大學SCIE論文分區期刊目錄》中工程技術、物理、化學、數學這四個分區。

iv.如遇特殊情況，未被列入以上三種範圍的期刊性質界定權歸院務委員會所有。

4、關於非第一作者的特殊情況，具體解釋同《復旦大學學位與研究生教育國內期刊指導目錄》（復旦大學研究生院

二〇〇四年八月）第Ⅱ頁第二小節說明。

5、鼓勵在各種頂尖國際會議上發表論文，本院（系）將給予一定的獎勵