硅太陽能電池

最早的硅太陽能電池是由於人們對將硅用於點接觸整流器產生興趣而出現的。鋒利的金屬接觸對各種晶體的整流特性早在1874年就被發現。在無線電技術的早期，這種晶體整流器在無線電接收設備中被廣泛地用作檢波器。但是隨著熱離子管的發展，這種晶體整流器除在超高頻領域仍被使用外，已經被熱離子管所代替。這種整流器最典型的例子是鎢在硅表面的點接觸。這項技術促進了對硅純度的改良，並且使得人們希望更進一步了解硅的性質。

雖然硅太陽能電池的歷史能夠追溯到50多年前硅雙極性器件出現的時期，但是實驗室電池的性能和電池理論在最近十年才取得巨大進步。在過去幾年中，太陽能電池的性能已經達到一度認為不可能再提高的水平。

硅太陽能電池和其他大多數硅電子器件相比，有其特殊的設計和材料要求。為了獲得高能量轉換效率，硅太陽能電池不僅需要幾乎理想的硅表面鈍化，而且體材料特性也必須具有均勻的高品質。這是因為一些波長的光必須在硅中傳播幾百微米才能被吸收，其產生的載流子還必須仍然能夠被電池收集。

製作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電於轉換反應，根據所用材料的不同，太陽能電池可分為：1、硅太陽能電池；2、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池；3、功能高分子材料製備的太陽能電池；4、納米晶太陽能電池等。

一、硅太陽能電池

1．硅太陽能電池工作原理與結構

太陽能電池發電的原理主要是半導體的光電效應，一般的半導體主要結構如下：

硅材料是一種半導體材料，太陽能電池發電的原理主要就是利用這種半導體的光電效應。一般半導體的分子結構是這樣的：

上圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。

當硅晶體中摻入其他的雜質，如硼（黑色或銀灰色固體，熔點2300℃，沸點3658℃，密度2.34克/厘米，硬度僅次於金剛石，在室溫下較穩定，可與氮、碳、硅作用，高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應，形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高導電率和化學惰性的物質。）、磷等，當摻入硼時，硅晶體中就會存在一個空穴，它的形成可以參照下圖說明：

圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子，而黃色的表示摻入的硼原子，因為硼原子周圍只有3個電子，所以就會產生如圖所示的藍色的空穴，這個空穴因為沒有電子而變得很不穩定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導體。

（附，什麼是P型半導體呢？在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N型半導體。）

同樣，摻入磷原子以後，因為磷原子有五個電子，所以就會有一個電子變得非常活躍，形成N（negative）型半導體。黃色的為磷原子核，紅色的為多餘的電子，如下圖所示：

P型半導體中含有較多的空穴，而N型半導體中含有較多的電子，這樣，當P型和N型半導體結合在一起時，就會在接觸面形成電勢差，這就是PN結。

當P型和N型半導體結合在一起時，在兩種半導體的交界面區域里會形成一個特殊的薄層，界面的P型一側帶負電，N型一側帶正電。這是由於P型半導體多空穴，N型半導體多自由電子，出現了濃度差。N區的電子匯擴散到P區，P區的空穴會擴散到N區，一旦擴散就形成了一個有N指向P的“內電場”，從而阻止擴散進行。達到平衡后，就形成了這樣一個特殊的薄層形成電勢差，從而形成PN結。當晶片受光后，PN結中，N型半導體的空穴往P型區移動，而P型區中的電子往N型區移動，從而形成從N型區到P型區的電流。然後在PN結中形成電勢差，這就形成了電源。下面就是這樣的電源圖。

由於半導體不是電的良導體，電子在通過p-n結后如果在半導體中流動，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部塗上金屬，陽光就不能通過，電流就不能產生，因此一般用金屬網格復蓋p-n結（如圖 梳狀電極），以增加入射光的面積。

另外硅表面非常光亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。為此，科學家們給它塗上了一層反射係數非常小的保護膜（如圖），實際工業生產基本都是用化學氣相沉積沉積一層氮化硅膜，厚度在1000埃左右。將反射損失減小到5%甚至更小。一個電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，於是人們又將很多電池（通常是36個）並聯或串聯起來使用，形成太陽能光電板。

2．硅太陽能電池的生產流程

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質量矽片上製成的，這種矽片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。

上述方法實際消耗的硅材料更多。為了節省材料，製備多晶硅薄膜電池多採用化學氣相沉積法，包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）和等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來製備多晶硅薄膜電池。

二

在太陽能電池中硅系太陽能電池無疑是發展最成熟的，但由於成本居高不下，遠不能滿足大規模推廣應用的要求。為此，人們一直不斷在工藝、新材料、電池薄膜化等方面進行探索，而這當中新近發展的納米TiO2晶體化學能太陽能電池受到國內外科學家的重視。

以染料敏化納米晶體太陽能電池（DSSCs）為例，這種電池主要包括鍍有透明導電膜的玻璃基底，染料敏化的半導體材料、對電極以及電解質等幾部分。

陽極：染料敏化半導體薄膜（TiO2膜）

陰極：鍍鉑的導電玻璃

電解質：I3/I

如圖所示，白色小球表示TiO2，紅色小球表示染料分子。染料分子吸收太陽光能躍遷到激發態，激發態不穩定，電子快速注入到緊鄰的TiO2導帶，染料中失去的電子則很快從電解質中得到補償，進入TiO2導帶中的電於最終進入導電膜，然後通過外迴路產生光電流。

納米晶TiO2太陽能電池的優點在於它廉價的成本和簡單的工藝及穩定的性能。其光電效率穩定在10%以上，製作成本僅為硅太陽電池的1/5～1/10．壽命能達到20年以上。但由於此類電池的研究和開發剛剛起步，估計不久的將來會逐步走上市場。

三、染料敏化TiO2太陽能電池的手工製作

1.製作二氧化鈦膜

（1）先把二氧化鈦粉末放入研缽中與粘合劑進行研磨

（2）接著用玻璃棒緩慢地在導電玻璃上進行塗膜

（3）把二氧化鈦膜放入酒精燈下燒結10～15分鐘，然後冷卻

2.利用天然染料為二氧化鈦著色

如圖所示，把新鮮的或冰凍的黑梅、山梅、石榴籽或紅茶，加一湯匙的水並進行擠壓，然後把二氧化鈦膜放進去進行著色，大約需要5分鐘，直到膜層變成深紫色，如果膜層兩面著色的不均勻，可以再放進去浸泡5分鐘，然後用乙醇沖洗，並用柔軟的紙輕輕地擦乾。

3.製作正電極

由染料著色的TiO2為電子流出的一極（即負極）。正電極可由導電玻璃的導電面（塗有導電的SnO2膜層）構成，利用一個簡單的萬用表就可以判斷玻璃的那一面是可以導電的，利用手指也可以做出判斷，導電面較為粗糙。如圖所示，把非導電面標上‘+’，然後用鉛筆在導電面上均勻地塗上一層石墨。

4.加入電解質

利用含碘離子的溶液作為太陽能電池的電解質，它主要用於還原和再生染料。如圖所示，在二氧化鈦膜表面上滴加一到兩滴電解質即可。

5.組裝電池

把著色后的二氧化鈦膜面朝上放在桌上，在膜上面滴一到兩滴含碘和碘離子的電解質，然後把正電極的導電面朝下壓在二氧化鈦膜上。把兩片玻璃稍微錯開，用兩個夾子把電池夾住，兩片玻璃暴露在外面的部分用以連接導線。這樣，你的太陽能電池就做成了。

6.電池的測試

在室外太陽光下，檢測你的太陽能電池是否可以產生電流。

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質量矽片上製成的，這種矽片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。

化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4，為反應氣體，在一定的保護氣氛下反應生成硅原子並沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發現，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，並且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然後再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結晶技術無疑是很重要的一個環節，目前採用的技術主要有固相結晶法和中區熔再結晶法。多晶硅薄膜電池除採用了再結晶工藝外，另外採用了幾乎所有製備單晶硅太陽能電池的技術，這樣製得的太陽能電池轉換效率明顯提高。

晶體硅太陽能電池應用中，發射極的特性可以極大地影響電池性能，通過提高發射極的摻雜濃度可以降低電池的接觸電阻，但是過高的摻雜濃度又將增加發射極中光生載流子的複合速率。選擇性發射極電池結構有效地解決了這一矛盾，在這種電池結構中，金屬柵線下方採用較高濃度的摻雜，與此同時，柵線間的發射極保持較低的摻雜濃度，從而在保證較好的藍光響應的條件下，實現電池串聯電阻的減小。然而，該電池結構需要嚴格的對準工藝實現金屬柵線與選擇性發射極的電接觸。

中科院寧波材料技術與工程研究所萬青研究組提出了一種交叉自對準工藝，採用普通絲網印刷設備研製了高效率的晶體硅太陽能電池。常規晶硅電池工藝在經過高溫磷擴散后，在電池表面存在一層高濃度磷元素的磷硅玻璃層，通過波長為532nm的激光圖形化退火處理，將磷硅玻璃中的磷元素進一步擴散進入硅，從而在電池片表面形成選擇性重摻雜區域。絲網印刷銀漿時，使得細柵線90度交叉激光重摻雜線條，巧妙地實現自對準製備工藝。

電池性能測試表明，發射極方塊電阻為75歐姆/方塊的標準單晶硅電池（125mm×125mm），最佳填充因子由激光摻雜前的~65%提高到激光摻雜后的~79%;最佳電池光電轉化效率由激光摻雜前的~14.4%提高到激光摻雜后的~17.7%。電池性能的提高主要由於電池接觸性能的改善引起。

常規太陽能電池製作包括晶體生長、切片、拋光等工序，需要大量的人力、物力，特別是在切片工序更是浪費了大量昂貴的硅晶體材料。採用硅懸浮帶提純可以較好地提高功效，減少材料浪費，節約成本。硅懸浮帶提純法也叫czochrals ki晶體生長法，利用石英坩堝把硅熔化，棒的一端是具有一定純度的完好晶體，將棒移過線圈或線圈通過棒，以一定的方向和一定的速率使熔化帶疑固，形成一定的晶體排列，用傳送帶將固化后的硅提升出模。這種硅晶體中心薄，兩邊厚，形成具有很好的抗破碎機械形狀。