數字集成電路
數字集成電路
數字集成電路,又稱邏輯集成電路,是指能夠基於布爾代數(邏輯代數、開關代數) 的公式及規則,對二進位數進行布爾運算的集成電路。數字集成電路的輸入和輸出都是離散的物理量(如高電平為“邏輯 1”、低電平為“邏輯 0”),以區別於對連續物理量進行操作的模擬集成電路。
數字IC主要是指由門電路和記憶電路組成、且能實現一定邏輯功能的集成電路,這些邏輯功能包括數字邏輯運算、存儲、傳輸及轉換等。數字IC是數字電子計算機和所有數字電子系統的硬體基礎。
集基邏輯(布)設計運,號集。根據集義,集義:元器件連線集半導體晶元上而製成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成MSI電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成VLSI電路、特大規模集成(ULSI)電路和巨大規模集成電路(GSI,Giga Scale Integration)。
規模集包含,元器件超;規模集包含~,元器件~;規模集包含,元器件,~, ;超規模集包含,元器件,~,,;規模集,元器件,,~,,。隨微藝步,集規模越越,簡單集元件划類型義,暫“巨規模集”統稱集規模超億元器件集。
集型號組般綴、編號、綴組,綴製造廠商,編號包括產品系列號、器件系列號,綴般示溫級、封裝形式。—示 系列集型號組及符號義。
數字電路的組成:組合邏輯+寄存器(觸發器)。組合邏輯就是由基本門組成的函數,其輸出只會跟當前的輸入有關,在上面的例子中,第一個圖就是組合邏輯,只完成邏輯運算;而時序電路除了包含基本門之外,還包含存儲元件用例保存過去的信息,時序電路的穩態輸出不僅取決於當前的輸入,還與過去的輸入所形成狀態有關。第二個圖就是時序電路,在完成邏輯運算的同時,還可以把處理結果暫存起來,用以下一次的運算。
數字集成電路
數字集成電路產品的種類很多,若按電路結構來分,可分成TTL和MOS 兩大系列。
TTL 數字集成電路是利用電子和空穴兩種載流子導電的,所以又叫做雙極性電路。MOS 數字集成電路是只用一種載流子導電的電路,其中用電子導電的稱為NMOS 電路;用空穴導電的稱為PMOS 電路:如果是用NMOS 及PMOS 複合起來組成的電路,則稱為CMOS 電路。
CMOS 數字集成電路與TTL 數字集成電路相比,有許多優點,如工作電源電壓範圍寬,靜態功耗低,抗干擾能力強,輸入阻抗高,成本低,等等。因而, CMOS 數字集成電路得到了廣泛的應用。
數字集成電路品種繁多,包括各種門電路、觸發器、計數器、編解碼器、存儲器等數百種器件。數字集成電路產品的系列見下表。
數字集成電路
(1)電源電壓範圍
TTL電路的工作電源電壓範圍很窄。S,LS,F系列為5V±5%;AS,ALS系列為5Y±10%。
(2)頻率特性
TTL電路的工作頻率比4000系列的高。標準TTL電路的工作頻率小於35MHz;LS系列TTL電路的工作頻率小 於40MHz;ALS系列電路的工作頻率小於70MHz;S系列電路的工作頻率小於125MHz;AS系列電路的工作頻率 小於200MHz.
(3)TTL電路的電壓輸出特性
當工作電壓為十5V時,輸出高電平大於2.4V,輸人高電平大於2.0V;輸出低電平小於0.4V,輸人低電平 小於0.8V。
(4)最小輸出驅動電流
標準TTL電路為16mA;LS-TTL電路為8mA;S-TTL電路為20mA;ALS-TfL 電路為8mA;AS-TTL電路為⒛ mA。大電流輸出的TTL電路:標準TTL電路為48mA;LS-TTL電路為24mA;S-TTL電路為64mA;ALS-TTL電 路為24/48mA;AS-TTL電路為48/64mA。
(5)扇出能力(以帶動LS-TTL負載的個數為例)
標準TTL電路為40;IS-TTL電路為20;S-TTL電路為50;ALS-TTL電路為 20;AS-TTL電路為50。大電流 輸出的TTL電路:標準TTL電路為120;LS-TTL電路為60;S-TTL電路為160;ALS-TTL電路為60/120;AS -TTL電路為120/160。
對於同一功能編號的各系列TTL集成電路,它們的引腳排列與邏輯功能完全相同。比如,7404,74LS04, 74A504,74F04,74ALS04等各集成電路的引腳圖與邏輯功能完全一致,但它們在電路的速度和功耗方面存 在著明顯的差別。
(1)電源電壓範圍
集成電路的工作電源電壓範圍為3~18V,74HC系列為2~6V。
(2)功耗
當電源電壓VDD=5V時,CM0S電路的靜態功耗分別是:門電路類為2.5~5μW;緩衝器和觸發器類為5~20μW;中規模集成電路類為25~100μW,
(3)輸人阻抗
(4)抗干擾能力
因為它們的電源電壓允許範圍大,因此它們輸出高低電平擺幅也大,抗干擾能力就強,其雜訊容限最大值為45%VDD保證值可達30%VDD,電源電壓越高,雜訊容限值越大。
(5)邏輯擺幅
CM0S電路輸出的邏輯高電平“1”非常接近電源電壓VDD邏輯低電平“0”接近電源Vss,空載時,輸出高電平VOH=VCC-0.05V,輸出低電平VOL=0.05V。因此,CM0S電路電源利用係數最高。
(6)扇出能力
在低頻工作時,一個輸出端可驅動50個以上CM0S器件。
(7)抗輻射能力
CMOS管是多數載流子受控導電器件,射線輻射對多數載流子濃度影響不大。因此,CM0S電路特別適用於航天、衛星和核試驗條件下工作的裝置。
CM0S集成電路功耗低,內部發熱量小,集成度可大大提高。又因為電路本身的互補對稱結構,當環境溫度變化時,其參數有互相補償作用,因而其溫度穩定性好。
(8)CM0S集成電路的製造工藝
CM0S集成電路的製造工藝比TTL集成電路的製造工藝簡單,而且佔用矽片面積也小,特別適合於製造大規模和超大規模集成電路。
①不允許在超過極限參數的條件下工作。電路在超過極限參數的條件下工 作,就可能工作不正常,且容 易引起損壞。TTL集成電路的電源電壓允許變化範圍比較窄,一般在4.5~5.5V之間,因此必須使用+5V穩 壓電源;CM0S集成電路的工作電源電壓範圍比較寬,有較大的選擇餘地。選擇電源電壓時,除首先考慮到 要避免超過極限電源電壓外,還要注意到,電源電壓的高低會影響電路的工作頻率等性能。電源電壓低,電路工作頻率會下降或增加傳輸延遲時間。例如CM0S觸發器,當電源電壓由+15V下降到十3V時,其最高 工作頻率將從10MHz下降到幾十千赫。
②電源電壓的極性千萬不能接反,電源正負極顛倒、接錯,會因為過大電流而造成器件損壞。
③CM0S電路要求輸人信號的幅度不能超過VDD~VSS,即滿足VSS=V1=VDD。當 CM0S電路輸入端施加的電 壓過高(大於電源電壓)或過低(小於0V),或者電源電壓突然變化時,電路電流可能會迅速增大,燒壞器件,這種現象稱為可控硅效應。預防可控硅效應的措施 主要有:
·輸入端信號幅度不能大於VDD和小於0V;
·消除電源上的干擾;
·在條件允許的情況下,儘可能降低電源電壓,如果電路工作頻率比較低,用+5V電源供電最好;
·對使用的電源加限流措施,使電源電流被限制在30mA以內。
④對多餘輸人端的處理。對於CM0S電路,多餘的輸人端不能懸空,否則,靜電感應產生的高壓容易引起 器件損壞,這些多餘的輸人端應該接yDD或yss,或與其他正使用的輸人端並聯。這3種處置方法,應根據 實際情況而定。
對於TTL電路,對多餘的輸人端允許懸空,懸空時,該端的邏輯輸入狀態一般都作為“1”對待,雖然 懸 空相當於高電平,並不影響與門、與非門的邏輯關係,但懸空容易受干擾,有時會造成電路誤動作。因此,多餘輸人端要根據實際需要做適當處理。例如,與門、與非門的多餘輸人端可直接接到電源上;也可將 不同的輸人端公用一個電阻連接到電源上;或將多餘的輸人端並聯使用。對於或門、或非門的多餘輸人端 應直接接地。
⑤多餘的輸出端應該懸空處理,決不允許直接接到VDD或VSS,否則會產生過大的短路電流而使器件 損壞。不同邏輯功能的CM0S電路的輸出端也不能直接連到一起,否則導通的P溝道MOS場效應管和導通的N溝道 MOS場效應管形成低阻通路,造成電源短路而引起器件損壞。除三態門、集電極開路門外,TTL集成電路的 輸出端不允許並聯使用。如果將幾個集電極開路門電路的輸出端並聯,實現“線與”功能時,應在輸出端 與電源之間接人上拉電阻。
⑥由於CM0S電路輸人阻抗高,容易受靜電感應發生擊穿,除電路內部設置保護電路外,在使用和存放時 應注意靜電屏蔽;焊接CM0S電路時,焊接工具應良好接地,焊接時間不宜過長,焊接溫度不要太高。更不 能在通電的情況下,拆卸,拔、插集成電路。
⑦多型號的數字電路之問可以直接互換使用,如國產的CC4000系列可與CD4000系列、MC14000系列直接互 換使用。但有些引腳功能、封裝形式相同的IC,電參數有一定差別,互換時應注意。