北京大學微電子學研究所

如今，在著名微電子學專家王陽元院士的主持下，該所已形成了以有較高學術造詣的學術帶頭人為首。以中青年科技人員為骨幹的結構合理的人才梯隊，科研和教學工作呈現出欣欣向榮的局面，成為國家從事集成電路新工藝、新器件和新結構及其應用基礎研究的主要單位之一，是國家科學技術攻關和科技預研的重要基地，是國家微米/納米加工技術中心，同時也是我國培養高質量微電子科技人才的搖籃。

研究所現有人員90餘人，其中高級職稱者40餘人，中級職稱者近30人。全所設有6個研究室，主要在以下六個研究方向開展研究工作：1.微電子機械系統研究；2.超高速集成電路研究；3.異質結器件與電路研究；4.ASIC設計研究；5.深亞微米和納米器件及其物理問題研究；6.小尺寸器件物理及其可靠性的研究。

研究所建有一個國家級重點實驗室、一個國家級科技專項實驗室和一個北京高技術重點實驗室，即微米/納米加工技術國家重點實驗室、北方微電子研究開發基地新工藝新器件新結構電路實驗室和北京市軟體固化高科技重點實驗室。工藝實驗室總面積900m2，其中十級超凈室40 m2，百級60 m2，擁有80餘台先進的工藝加工及檢測設備。可加工CMOS電路、硅雙極電路、SOI/CMOS電路、化合物半導體器件和微電子機械系統等器件與電路。另還建有一個CAE實驗室，擁有多台工作站和有關電路設計軟體，面積300 m2。

微米/納米加工技術國家重點實驗室

發展目標：建立製作體硅和表面硅微機械結構並能與IC工藝兼容的微電子機械系統（MEMES）加工技術；開發新的MEMS加工技術。主要設備：雙面對準光刻設備（Suss MA6）；硅/硅和硅/玻璃鍵合對準設備（Suss BA6）；硅/硅和硅/玻璃鍵合設備（Suss SB6 VAC Substrate Bonder）；專用硅表面親水化清洗設備（CL6 Cleaner）；高深寬比的硅深槽刻蝕設備（STS Multiplex）；表面犧牲層工藝用LPCVD設備（LPCVD ASM LB35）；4英寸IC工藝設備。

研究內容和條件：體硅和表面硅微加速度計和陀螺等MEMS器件；硅微電子機械結構的設計與性能模擬；機械機構與信號處理電路單片集成的技術設計。

新工藝新器件新結構集成電路重點實驗室

研究方向：亞微米CMOS集成電路技術研究；硅基超高速雙極集成電路技術研究；CMOS/SOI電路技術研究；新結構、新器件研究；小尺寸器件物理及其可靠性的研究。

北京市軟體固化高科技實驗室

軟體固化實驗室是北京市高科技實驗室之一，1987年11月由北京市政府資助在北京大學建立，著名計算機科學家楊芙清院士任實驗室主任，微電子學家王陽元院士任學術委員會主任。實驗室以北京大學計算機系統與軟體研究所和北京大學微電子學研究所為依託，以系統的軟、硬體聯合設計為研究方向。隨著VLSI設計與製作水平的提高，軟體固化技術已由早期的存儲程序固化發展到系統的軟、硬體聯合設計，實現系統設計的最優化。軟體固化實驗室是計算機與微電子兩大學棵的結合點，在科學研究人才培養等方面發揮了很好的作用。

CAE實驗室

CAE實驗室建立了比較完備的軟、硬體平台，包括Sun Ultra 和Sun Space 等多台工作站，Cadence、Compass、Panda EDA軟體系統MEM CAD、SUPREM、MEDICI、H-SPICE等軟體工具，可以支持所內MEMS、新工藝新器件結構電路的研究和VLSI行為、結構、物理等領域的設計研究。

微電子科學技術工藝實驗室

工藝實驗室主要包括MEMS工藝加工和新工藝新器件新結構集成電路工藝加工兩部分，是我國微電子新工藝新器件新結構集成電路研究的重要基地之一和我國MEMS加工技術的重要基地。在這個實驗室中曾誕生了中國第一塊三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1024位MOS存儲器，實現了我國NMOS工藝零的突破今天又在硅雙極集成電路和CMOS/SOI集成電路技術方面處於國內領先地位。

研究方向；EMS加工技術；多晶硅發射極超高速集成電路技術；SOI技術；GESI/SI器件；GAN器件。

微電子機械系統研究室

研究方向：微電子機械系統的設計和研製。如今重點進行微陀螺、微加速度計等MEMS器件的研製。

超高速集成電路研究室

研究方向：主要從事硅超高速集成電路新工藝新器件和新結構電路研究和難熔金屬氮化物砷化鎵電路研究。

研究內容：1.多晶硅發射極微波分頻器技術研究;2.全溫區RCA雙極晶體管及其在集成電路中的應用研究;3.硅高速集成電路研究。

異質結構器件和電路研究室

研究方向： SOI器件、電路研製；器件、電路模擬開發；新型SOI材料、新結構SOI器件（柵控混合管等）的研究。

專用集成電路設計研究室

研究方向：ASIC設計方法學--基於VHDL高層級行為描述；微處理器嵌入的ASIC設計；可剪裁微處理器核的設計；單元/模塊電路庫的建立。

新器件研究室

研究方向：半導體新材料、新結構；深亞微米/納米硅器件物理；平面顯示技術的研究；高溫超導體在微電子技術中的應用。

小尺寸器件物理研究室

研究方向：小尺寸MOSFET器件物理及其可靠性；絕緣介質及半導體薄膜材料、Si/SiO2界面的物理性能及其可靠性；半導體器件、材料陷阱參數表徵方法與技術。

微電子學教研室

微電子教研室負責教學和學生管理工作。除培養微電子學專業本科生外，還是“微電子與固體電子學”碩士和博士授予點，同時設有博士后流動站。目標是培養既具有堅實的理論基礎，又掌握微電子的先進技術，及物理學、計算機科學及集成電路設計製造學位一體的高科技人才。教研室擁有一批既有豐富經驗又有較高業務水準的教員，其中包括6位教授、5位副教授，開設了18門專業課和多種選修課、討論班，多年來有六位教師獲得過北大優秀教學獎，並有11人次獲得優秀班主任獎。

教研室共編寫了教材20餘本，正式出版教科書和專著15部。其中黃昆原著，韓汝琦改編的《固體物理學》獲第二屆全國高等院校優秀教材特等獎和國家科技進步二等獎；葉良修編寫的《半導體物理學》獲得全國第三屆優秀科教圖書二等獎；王陽元、關旭東河馬俊如編寫的《集成電路工藝基礎》獲得國家教委優秀教材二等獎；王陽元編寫的專著《多晶硅薄膜及其在集成電路中的應用》受到國內外同行的好評。

主要專業課程：半導體物理；半導體器件物理；MOS集成電路分析與設計；雙極型集成電路分析與設計；集成電路工藝原理；集成電路測試與分析實驗集成電路設計實習；集成電路工藝實習；高等半導體物理；計算機電子學；VLSI新工藝技術；VLSI電路分析與設計；VLSI器件物理；模擬集成電子學；ASIC設計方法學。

北大宇環微電子系統工程公司

北大宇環微電子系統工程公司（PKYH）是北京大學微電子研究所主辦的高新技術企業，它以微電子研究所雄厚的科技力量為依託和發展基礎。

PKYH是北京大學微電子研究所開展橫向業務聯繫的窗口。公司的主要目的是把科研成果轉化為商品，適應國民經濟需要。它主要致力於研究開發VLSI/ULSI集成電路設計技術，並擁有高水平的設計隊伍。已經開發出包括計算機防病毒、保密通訊、儀錶、VTB解碼器及嵌入式微處理器等多種專用集成電路（ASIC）。可以承擔ASIC開發、設計和製作。

PKYH還致力於開發新的微電子測試技術和儀器。已經開發出包括薄膜全場應力測試儀、VLSI/ULSI MOS結構絕緣陷阱電荷弛豫譜儀等先進儀器。

PKYH同時開展微電子新技術、新工藝、新器件的技術開發、轉讓、諮詢、培訓等業務。

北京大學微電子學研究所是我國硅柵 NMOS集成電路技術的發源地，七十年代在國內首先研製成功硅柵 N溝道 1024位動態隨機存儲器，為我國 MOS集成電路產業的發展作出了重大貢獻。研究所一直承擔多項國家重點科技攻關和國防科工委軍事電子預研項目，取得了一批重要的科研成果。先後有二十項成果獲得國家科技進步二等獎、國家發明三等獎、國家教委和電子工業部科技進步一、二、三等獎和光華科技基金一、三等獎；“六。五”、“七。五”和“八。五”新工藝、新器件和新結構電路研究獲得了國家二委（國家計委、國家科委）一部（財政部）科技攻關重大科技成果獎。多年來在國際會議以及國際國內一流學術刊物上發表論文300餘篇，在工藝技術及測試儀器等方面共獲5項專利（其中發明專利四項）。

在積極開展研究工作的同時，重視人才培養，研究所每年招收40名本科生，10-16名碩士生，8-10名博士生，並接受4-6名博士后研究人員。研究所堅持教學與科研緊密結合，培養既有堅實的理論基礎又掌握最新科學技術的人才。正式出版15部教材和專著，其中1部獲優秀教材國家教委全國特等獎，1部獲全國優秀圖書二等獎，1部獲優秀教材國家教委二等獎。

研究所重視國際學術交流與技術合作。每年都有許多海外專家來該所進行學術交流活動，同時研究所也派出教師到海外進修、參加學術會議或工作。如今，已先後與美國加州大學伯克利分校、日本東京工業大學、美國ADI公司、美國摩托羅拉公司、日本Innoteck公司、香港科技大學等單位建立了合作關係。著名華裔科學家葛守仁（美國國家工程科學院院士）、胡正明（美國國家工程科學院院士）、高秉強、朱劍豪為該所的名譽教授或兼職教授，並設立了胡正明和朱劍豪獎學金。通過國際學術交流的技術合作，該所在國際微電子界已享有一定聲譽。