峨嵋半導體材料廠

中國東方電氣集團旗下的東汽投資發展有限公司峨嵋半導體材料廠、研究所現名東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司。座落在舉世聞名的旅遊勝地峨眉山腳下，佔地面積 620餘畝。東汽峨半廠所是1964年10月以原冶金部有色金屬研究院338室和瀋陽冶鍊廠高純金屬車間為主組建的中國第一家集半導體材料科研、試製、生產相結合的大型廠(所)一體的企業，是有色工業重點骨幹企業。廠、所現有職工1500多人，包含各類技術人員681人。

2015年進入破產程序，多晶硅項目負債嚴重。

東汽峨半廠所是省級“企業技術中心”,共取得科研成果300多項，其中獲省部級以上成果獎80多項，累計開發試製新產品6000多種。廠、所先後為我國電子信息、能源交通部、機械電力等許多工業部門和研究領域提供了相關的半導體材料，同時向我國洲際導彈、海上發射運載火箭、人造衛星、北京正負電子對撞機及神舟5號、6號飛船等提供了關鍵材料，為我國國防事業做出了重要貢獻，多次受到黨中央、國務院、中央軍委及中央相關部委的通報表彰。

一、大事記

——1964年10月，根據中共中央關於加強大三線建設的指示精神。冶金工業部於一九六四年十月九日下發（64）冶發基辦字1271號文，一九六四年十月十二日下發（65）冶發基辦字1305號文“關於堅決保證完成一九六四年遷建任務的緊急通知”。確定北京有色金屬研究院三三八室（硅材料研究室）及與之配套的人員、裝置和職能管理部門內遷四川峨眉縣。定名：“冶金工業部北京有色金屬研究院第一研究所”，代號“七三九”。

北京有色金屬研究院黨委任命常秀山為北京有色金屬研究院第一研究所（七三九廠）黨總支付書記。任命張積珍為副廠、所長。11月中旬，七三九廠、所第一期工程破土動工。

——1965年5月北京有色金屬研究院第二批“三線”建設人員100多人到廠。8月15日多晶硅工序試車成功，產出第一爐多晶硅。10月廠、所全面投產。

——1966年4月第二期工程開工建設。瀋陽冶鍊廠第一批支援“三線”建設人員到廠。12月廠、所二百多名職工利用業餘時間，僅用三個月，建成一棟家屬樓。建築面積1976M 。

——1967年3月氬氣氛外熱式無位錯區熔硅單晶拉製成功。瀋陽冶鍊廠，葫蘆島鋅廠，撫順301廠，湖南錫礦山等內遷人員和設備到廠。5月4日 第二期工程全面竣工交付使用。

——1968年4月第三期工程（化合物半導體研究室及單晶硅擴建工程）破土動工。12月完成了三氯氫硅還原尾氣中氫氣回收的小型試驗。

——1970年7月15日採用溴化蒸餾法製備出5N高純硼。8月拉制出第一根砷化鎵單晶。

——1971年2月4日多晶硅擴建工程01-3車間竣工交付使用。3月22日中羅雙方在北京簽訂關於中國向羅馬尼亞提供成套項目和技術援助的議定書。多晶硅和區熔部分的工藝技術由峨嵋半導體材料廠、所承擔。4月Φ35 mm 內熱式生產氫氣氛無位錯區熔硅單晶研製成功。

——1972年5月試製成功Φ40-42.5mm 大直徑區熔硅單晶。6月接受援助羅馬尼亞的多晶硅和單晶硅生產任務。7月4日根據冶金部要求，為支援七四一廠建設，廠、所第一批三十一名職工調離廠、所奔赴陝西華山半導體材料廠。7月15日：川冶（70）革字第314號文將“七三九廠”改稱“峨嵋半導體材料廠”，將“北京有色金屬研究院第一研究所”改稱“峨嵋半導體材料研究所”。

——1975年2月23日，拉制出Φ55x420mm大直徑區熔硅單晶。4月18日拉制出Φ83x200mm、重2.4公斤的直拉無位錯硅單晶。7月4日拉制出Φ60x300mm區熔硅單晶，重2.7公斤，達到國內先進水平。12月採用B2O3 熔體覆蓋法在國內首先研製出第一根InAs單晶。

——1976年4月研製出區熔大直徑（Φ70x150mm）無位錯硅單晶。

——1978年5月13日，國務院副總理方毅在四川省委副書記楊超的陪同下，來廠、所視察工作，並親筆題寫“大力發展材料科學”的題詞。

——1979年5月首次在國內製備出用作耿氏器件的多層砷化鎵外延材料。8－9月全面完成羅馬尼亞實習生的培訓任務。12月研究出水平摻錫的砷化鎵單晶，並成功地用於國防“三三一”工程。

——1980年1月在國內首次研究成功用於MOS集成電路的中子嬗變摻雜硅單晶。5月21日中共中央、國務院、中央軍委發來賀電，國防科工委寄來“感謝信”，表揚我廠、所為我國發射洲際導彈作出的貢獻。12月“739”牌真空P型、N型高阻區熔硅單晶和超純鎵獲部優產品稱號。同月成功研製了晶閘管用NTD硅材料。該工藝已推廣全國，為我國填補了一項空白。

——1981年1月，硅單晶車間副主任唐均松、工程師梁員慶、鍾煥榮、何風池、工人張兆地赴羅馬尼亞幫助羅方安裝調試設備和試車生產。3月16日 援建羅馬尼亞單晶硅廠區熔部分投產，羅方簽字驗收。

——1982年10月，經兩年的努力，廠、所與北京401所、中國計量科學研究院協作研製的硅單晶電阻率標準樣片，在昆明由國家計量局主持鑒定。通過鑒定，樣片填補了國內空白，達到美國 NBS標準樣片的水平。10月16日，中共中央、國務院，中央軍委電賀廠、所為運載火箭的研究和發射試驗成功所做的貢獻。12月7日，國防科工委來信表彰廠、所在我國潛水艇發射運載火箭中所做的貢獻。

——1983年8月4 K位大規模集成電路用P型‹100›硅單晶獲中國有色金屬總公司（部級）科技成果一等獎。12月完成了硅單晶微觀缺陷的熱氧化—腐蝕檢驗方法，並由國家標準局頒布為國家標準；

多晶硅真空區熔基硼檢驗方法、多晶硅斷面夾層化學檢驗方法、測定硅間隙氧含量的紅外吸收法、測定硅中代位碳含量的紅外吸收法等四種方法由國家標準總局頒布為標準方法。

——1984年4月18日，中共中央、國務院、中央軍委發來賀電，國防科工委寄來感謝信，表彰廠、所為試驗通信衛星發射成功所做出的貢獻。7月8日，N型NTD 單晶硅材料通過中國有色金屬工業總公司和核工業部組織的部級科技成果鑒定。10月16日-20日多晶硅學術年會在我廠、所召開。12月10日，中國科學院學部委員、中國科學院北京半導體所副所長林蘭英教授來廠、所講學，並接受聘請為廠、所學術委員會顧問。

——1986年6月26日四川省委書記楊汝岱來廠、所視察。12月27日與四川大學共同承擔的“非晶陽光電池研製”項目，通過了由省科委組織的專家鑒定。

——1987年1月19日，廠、所承擔的“多晶硅九對棒還原爐的研製”項目，在成都通過了省科委組織的鑒定。6月5日，在國務院環境保護委員會召開的首屆“全國環境優美工廠”表彰授獎大會上，我廠、所榮獲“全國環境優美工廠”稱號，廠、所長曾欣然出席了會議，並領取了獎牌和證書。9月11日廠、所自行設計製造的兩台鎵單晶爐安裝調試完畢，運行正常。

——1988年2月12日廠、所科協舉辦第一屆學術交流年會。6月26日中國有色金屬工業總公司安環部會同中科院環境科學委員會在廠、所召開“企業生態工程”課題論證會。中科院馬世駿教授和國家科委的單位的四十六名專家出席了會議。與會專家一致通過了課題論證。

——1989年6月10日，我所與中國劑量科學研究院、中國原子能科學研究院共同研製的“硅單晶電阻率標準樣片”獲國家一級比安裝物質證書。

——1990年9月11日，根據總公司黨組決定：中國半導體材料（集團）公司籌備組組長、廠、所長李本成率副廠、所長施尚林等十一名同志赴西安開展中國半導體材料（集團）公司籌備工作。10月，廠、所“739牌FZ種子嬗變摻雜硅單晶研磨片”獲國家質量獎銀質獎章。10月我 廠、所“739牌FZ中子嬗變摻雜硅單晶磨片”獲國家銀質獎章。10月23-27日，“電子、半導體材料一九九O年學術年會”在我廠、所召開。12月19日，大硅管開發攻關小組成立。

——1991年5月24日廠、所榮獲李鵬總理簽署的“為北京正負電子對撞機做貢獻”榮譽證書。11月廠、所“企業生態工程研究”項目的科研成果通過了中國有色金屬工業總公司組織的專家鑒定。

——1997年4月9-11日，國家計委組織國防科工委，財政部，電子部等部委參加的“軍工配套項目‘496’工程”調研組來我廠、所考察。5月21日，國家計委以計司科技函（1997）018號文，正式批複我廠、所«年產100噸多晶硅國家重點工業試驗性項目立項建議書»，同意立項。9月3，日國家計委以計科技（1997）157號文，批複了100噸年多晶硅項目可行性研究報告。總投資9940萬元，其中國家投資1500萬元。定2000年6月前完成。

——1998年9月電力器件用NTD-FZ單晶硅及矽片榮獲國家級新產品稱號。10月廠、所被四川省經貿委確定為“省級企業技術中心”。12月經316小時的運轉，自行研製的節能型大還原爐產出國內第一爐Φ115x1500mm 多晶硅棒。爐產達392.2kg。

——2000年1月9日《年產100噸多晶硅工業性試驗項目》通過了國家計委組織的鑒定驗收。10月25日，國家發展計劃委員會以計高技【2000】1419號文，向國務院提交關於審批峨眉半導體材料廠建設年產1000噸多晶硅高技術產業化示範工程項目建議書的請示報告。報告闡述了項目建設的必要性和建設規模、投資及經濟效益后，認為擬在峨眉半導體材料廠建設的年產1000噸多晶硅高技術產業化示範工程項目，是利用我國具有自主知識產權的先進技術建設的，項目符合產業政策，立項條件已經具備。建議國務院批准該項目建議書。

——2003年承擔國家級科研項目8項：萬歐級高阻p型硅單晶研製；“496”工程條件保障建設專用高純材料研製；高純材料產業化；SiCl4產業化前期研究開發；高純銻技術開發研究；“863”計劃“高純四氯化硅（4N）的純化技術和規模化生產技術；銻化銦多晶材料規模化生產技術研究開發；高純鎵產業化平台技術。

——2004年組織開展了年產200噸太陽能級多晶硅技術改造項目的可行性研究工作。該項目已在2004年12月30日通過專家論證。同年項目建設已啟動。

——2005年廠所銷售收入首次突破億元大關。

——2006年6月，在東方電氣集團和國務院國有資產監督與管理委員會的支持下，由樂山市人民政府牽線，廠、所完成了國有資產無償划轉到東方氣輪機廠，實現了強強聯合，為廠、所的跨越式發展奠定了堅實的基礎。“東汽”向廠、所注入6億資金。經過三個月的託管期，10月份整體划轉德陽“東方汽輪機廠”，11月變更法人代表。12月28日成為“東方汽輪機投資發展有限公司”下屬子公司之一。10月28日東汽峨半年產500噸電路級多晶硅項目舉行奠基儀式。

——2007年3月19日東汽峨半1500噸多晶硅項目在樂山五通啟動。

——2008年4月29日東汽峨半光伏項目一期120MW工程奠基儀式在峨眉山市電子工業園區舉行。9月東汽峨半年產500噸電路級多晶硅項目建成投產。

三、廠所44年生產經營情況統計

1965-2008廠、所主要經濟指標表

中國半導體材料的一面旗幟

——峨嵋半導體材料廠、所改革開放30年成就回顧

一、頑強攻關，建成我國首條擁有自主知識產權的多晶硅生產線

多晶硅是重要的電子信息基礎材料，有“微電子大廈基石”之稱，它是生產單晶硅的唯一原料。我國1958年採用“傳統西門子法”開始生產多晶硅。傳統西門子工藝生產的多晶硅，不僅在數量、質量、品種和價格上不能滿足電子信息產業發展的需要，而且能耗高、物耗高、生產成本高以及對環境污染嚴重，無法擴大生產，致使我國多晶硅生產逐年萎縮瀕臨消亡。由於半導體多晶硅在國民經濟和國防軍工領域的重要性，國家投入大量人力和財力，試圖引進國外先進的多晶硅生產技術，但都未能如願，在這種情況下，峨半廠、所從1987年開展了對多晶硅技術的攻關實驗。經過10多年的頑強拼搏，終於攻克了多晶硅生產的“改良西門子法”中的4項核心技術，提前半年時間於1999年10月建成我國首條具有自主知識產權的年產100噸多晶硅生產線，同年底全面投入運行，並在2000年1月9日通過了國家鑒定驗收。專家們一致認為該生產線從工藝到設備、從設計到操作，均是由我國科技工作者獨立完成的系統工程。在實施過程中，廣大科技人員艱苦攻關，勇於創新，解決了15項關鍵技術。它的成功，標誌著我國已經基本掌握了世界上先進的多晶硅生產技術——改良西門子法，具有獨立的設計、建設、管理更大規模多晶硅生產的技術和能力。該生產線榮獲2001年國家計委頒發的“高科技產業化示範工程獎”，同年5月榮獲四川省科技進步特別獎。

2001年後，峨半廠、所憑藉所掌握和實施的改良西門子法核心技術，向國家成功申請了《1000噸/年多晶硅高技術產業化示範工程》項目。

二、技改擴產，產品檔次不斷提高，產量不斷擴大

多晶硅 多晶硅還原爐實現從建產初期的3對棒，到6對棒、9對棒直至18對棒的成功擴大。2004～2005年峨半廠所完成了“年產200噸太陽能多晶硅生產線技改項目”，使產能提高到200噸/年。自行研製成功18對棒的大型節能高效還原爐，單爐產量可達1噸以上，長時間連續運行情況十分良好，使峨半廠、所無論在大型還原爐自行設計製造技術，還是應用技術上都穩步登上了一個新的台階。

單晶硅 1995年以前，直拉單晶硅產品的尺寸都是Φ3英寸以下，市場競爭力不強。1996年以來，先後購進國產62型直拉爐10台，80型直拉爐3台，大型區熔爐爐體3台（自製電器），不僅使生產能力擴大了，而且通過技術創新，使主流產品尺寸由Φ3英寸提高到4-6英寸，提高了產品的競爭力。Φ8英寸直拉單晶硅在峨半廠、所試拉成功。區熔單晶硅先後攻克了中照摻雜和氣相摻雜技術，極大地提高了斷面不均勻率，滿足了軍工產品的需要。峨半廠、所還建立起與單晶硅生產相配套的Φ4-6英寸的切磨拋光生產線，提高了產品的技術含量和附加值。從1996年起，我們的直拉單晶硅產品打進了美國市場，從1998年起，硅拋光片產品打開了香港市場。我們還相繼開發30多種技術含量高的新產品投放市場，其中有10多種新產品填補了國內空白。峨半所（廠）研製的區熔高阻硅單晶獲省、部級各種獎項達20餘項，其中6項屬於我國尖端科技成果。

高純材料 峨半廠所高純材料包括了24個元素、50多個品種、280多種規格，純度為5-7個“N” （99.999%～99.99999%），部分元素達到了8個“N”（99.999999%）。品種之多為全國之最，純度之高為全國之冠。經技改擴產後，高純銻、砷、錫、銦、碲、鎘、磷等品種生產能力大幅度提高，其中：高純銻的生產能力擴大了20倍，由年產500公斤增加到年產12噸，高純砷的生產能力也增長了4-5倍，實現了產業化。峨半廠、所已成為全國最大的高純金屬生產研究基地，國內市場佔有率達80%，並具備了大批量出口的能力。與此同時，峨半廠、所先後與信息產業部、兵器工業相關院所合作，在“氣象衛星”、“資源衛星”、“尖兵衛星”等多項重點軍工任務和重點工程中提供優質的Ga、In、As、Sb、Te、Cd等高純材料，多次受到國務院、中央軍委、國防科工委、科委、計委的通令嘉獎。

生產經營及主要產品產量 截止2007年底，峨半廠所生產經營及主要產品產量較1978年呈幾十倍增長。如：1978年工業總產值為0.1億元，2007年則為3.427億元。主要產品產量近30年變化見下表。

主要產品 78年（產量：噸） 2007年（產量：噸）

多晶硅 6 155

單晶硅 2 132

矽片加工 0.178 47

高純金屬 2（產能） 65（產能）

三、做大做強，各項工作齊頭並進，成就顯著

峨半廠、所以發展我國半導體材料工業為己任，始終致力於新產品、新工藝、新技術的研發，共取得重大科研成果300多項，完成新產品試製協議累計6000多項，先後為我國的洲際導彈、水下發射運載火箭、試驗通訊衛星、北京正負電子對撞機、神舟六號飛船等國防軍工及國家重點工程建設提供了急需的優質半導體材料，多次受到中共中央、國務院及中央軍委通報表彰。尤其是改革放以來，科研、質量、安全環保等各項工作都取得顯著成效。僅1984年——2005年峨半廠、所在多晶硅、單晶硅、高純金屬等方面共榮獲科研成果獎87項，其中獲得省部級二等獎以上的科研成果23項，三、四等獎的科研成果36項。其他獲獎情況如下：

——1990年硅單晶磨片獲國家優質產品銀獎；

——1992年6月5日年被國家環境保護局授予全國環境保護先進企業稱號；

——2000年峨半廠、所產品通過國家質量體系認證；

——2000年5月23日峨半廠所榮獲省科技進步特別獎；

——2001年11月高純金屬，半導體用高純金屬在國際（天津）發明專利及新技術新產品博覽會榮獲金獎；

——2003年1月28日峨半廠所被四川省科學技術廳授予“四川省高新技術企業稱號”；

——2006年被中華人民共和國國防科學技術工業委員會授予國防科技工業協作配套先進單位稱號；

——2008年7月被國際科學技術工業委員會命名為國際科技工業先進技術研究應用中心晶體材料加工（應用）依託單位。

四、強強聯合，走規模化產業集群發展道路

2001年2月26日美國晶體技術公司（AXT）合資組建的“嘉美高純材料有限公司”正式掛牌，雙方共同投資2880萬元（我方75%，美方25%）建設一條年產20噸生產線。該項目於2002年投產，美國AXT公司包銷產品的75%，年銷售收入為3000萬元，利稅1000萬元。該項目成功合作，是峨半廠、所高純金屬材料生產向規模化產業集群目標邁出的第一步。

2006年6月28日，東汽與峨半在成都簽訂了合作協議，強強聯手，共同打造光伏產業鏈。

●總投資30億元的 3×1500噸多晶硅項目在樂山五通橋區順利推進。首個1500噸土建施工於2007年12月全面展開，工程建設按計劃節點進行，現已進入設備安裝階段，預計今年12月份投產。第二個1500噸預計2009年9月建成投產，三期1500噸項目將於2009年啟動。

●2007年6月13日～15日在峨眉山市大酒店成功舉辦了“2007年第三屆中國太陽能級硅材料及太陽能電池研討會”，來自國內外的專家、學者、經銷商等600多人云集峨眉山腳下，共話可再生能源的開發和利用。

●峨半廠所領導班子榮獲“2007年度全省國有企業創建‘四好’領導班子先進集體”稱號。

●2007年順利通過四川三峽認證公司審核。當年8月份取得ISO9001：2000質量標準、ISO14004：2004環境標準和GB/T28001－2001職業健康安全三個標準的認證證書。並獲得四川省質量技術監督局2007“質量月”共鑄誠信企業榮譽稱號。

●2008年4月29日東汽峨半總投資25億元的240MW光伏項目一期工程奠基儀式在峨眉山市符汶河畔隆重舉行。該項目一期120MW工程建設進展順利，預計2009年上半年建成投產。

單晶硅分廠從事單晶硅的科研、生產已有四十多年的歷史，經多年的發展，單峨嵋半導體材料廠

晶硅的生產能力不斷擴大。直拉單晶的產能達到12 0噸/年，其中太陽能級產品100噸/年、IC級單晶15噸/年、晶體管級產品5噸/年、區熔單晶產能30噸/年，最大直徑Ф5 。其中NTDFZ單晶產品在國內市場佔有較大份額，是我廠的拳頭產品。我們也是國家唯一能提供真空區熔超高阻單晶硅的企業，產品廣泛運用於特種器件的生產之中。

單晶硅分廠是專業從事直拉、區熔單晶科研、生產的下屬單位，有大批專業技術人員和高水平的拉晶技術工人。擁有世界先進水平的F Z-30爐、C G6000、T D R80等硅單晶製造設備，有較強的設備管理隊伍，國產區熔爐在我廠得到很好的使用，這是與電器改造水平分不開的。

多晶硅分廠從事多晶硅的研究、生產已有三十多年的歷史，經過長期的技術攻關和生產系統的完善，先後解決了西門子工藝技術，並攻克了“改善西門子法”中的四項核心技術。擁有自主知識產權。隨著“年產100噸多晶硅國家重點工 業實驗線”的建成與完善，多晶硅的產能達到100噸/年，產品質量不斷提高。產品的技術質量指標 滿足電路級、晶體管級、太陽能級直拉單晶和區熔單晶的要求。同時，也結束了我們多晶硅不外銷的歷史，產品除滿足自身的需要外，也對外銷售，並得到客戶的好評。2006年建成中國首條年產200噸多晶硅生產線，使我國多晶硅的生產技術跨入了世界先進行列。擁有中國產量最大、質量最好的具有自主知識產權的多晶硅生產線，同時擁有佔國內80%的多晶硅專家和一支國內一流的工藝研究、生產製造、設備維護的專業技術隊伍。

現有員工300多人，工程技術人員60多人。

單晶矽片生產加工，已有二十多年的歷史。其中N〈100〉、P〈11 〉I C級拋光片曾獲得國家銀質獎，經過投入，現具備產能為硅拋光30萬片/年、硅化腐片60萬片、硅磨片280萬片的能力。擁有一批世界先進水平的高精加工設備如D S261 ，26 5多線切割機、T S-23 內圓切割機、W-S-4000倒角機、SPEODFOM研磨機、拋光機等60多台套，最大加工直徑達Ф6、最薄200微米研磨片等，能夠為集成電路製造業、分離器件製造業提供高質量的單晶矽片。

東汽峨嵋半導體材料廠。所高純事業部（原高純金屬及化合物材料分廠）創建於1964年，在國內最早從事高純金屬及化合物材料研發，是國內工藝和品種最齊全的高純金屬材料廠，也是國內唯一一家分析檢測中心和環保設施配套齊全的高純金屬材料研究單位。

東汽峨半的發展戰略是：在“十一五”末，主要產品年生產能力達到多晶硅5200噸、單晶硅1000噸、矽片5000萬片、高純金屬100噸，年銷售收入達到50億元，並利用多晶硅優勢，廣泛尋求戰略合作夥伴，共同打造光伏產業鏈，形成100億元規模的產業集群。東汽峨半在實施500噸/年電路級多晶硅項目建設的同時，先後於2007年3月總投資30億元，啟動了3×1500噸多晶硅項目，於2008年4月總投資25億元，啟動了240MW光伏項目。首個1500噸建設已進入設備安裝階段，預計今年底投產。第二個1500噸將在2008年9月開工建設，三期1500噸項目將於2009年啟動。光伏項目一期120MW工程建設進展順利，計劃2009年上半年建成投產。

東汽峨半將堅持科學發展觀，堅持“多電並舉”，加強人才引進培養戰略的實施，培育造就一批高水平的技術隊伍，加強對改良西門子法的系統研究，進一步鞏固和提升硅材料、高純金屬的研製水平和製造能力，並積極進入太陽能光伏發電行業，形成多晶硅——單晶硅——矽片加工——光伏發電產業鏈，力爭於“十一五”末，把東汽峨半建成國家級硅材料研究中心、國家級高純金屬研究中心、國家級半導體材料檢測中心及多晶硅材料製備技術國家級工程實驗室，成為領跑我國半導體材料科研、製造行業的高科技百億企業。